高爐常用的氮化硅結合碳化硅磚，是由粉狀硅（Si）和SiC混合成型的坯體，在氮化爐中于1300~1350℃的氮氣氣氛下加熱而制得。Si和N2反應生成氮化硅形成極堅固的結合物，將SiC顆粒結合起來，通過化學反應3Si+2N2→Si3N4達到燒結。反應生成的Si3N4與SiC顆粒緊密結合而形成以Si3N4為結合相的碳化硅制品。氮化硅結合碳化硅磚在高爐爐身下(xia)部使用效果較好，下(xia)表是氮化硅結合碳化硅磚的理化指標
我國耐火(huo)材料工作者(zhe)，在借鑒煉鋼用(yong)鋁(lv)碳(tan)(tan)滑板磚(zhuan)的生產工藝基礎(chu)上，開發了高(gao)(gao)(gao)爐鋁(lv)碳(tan)(tan)磚(zhuan)，該磚(zhuan)性能(neng)良好(hao)，價格(ge)便(bian)宜，已(yi)在大(da)中(zhong)小(xiao)型(xing)(xing)(xing)高(gao)(gao)(gao)路上推廣應用(yong)。高(gao)(gao)(gao)爐鋁(lv)碳(tan)(tan)磚(zhuan)采用(yong)特(te)級高(gao)(gao)(gao)鋁(lv)礬土熟料，鱗片石墨及SiC為(wei)主要原料，添加抗(kang)(kang)氧(yang)化劑及其他(ta)附加物(wu)，用(yong)酚(fen)醛樹脂為(wei)結(jie)合劑，加壓成(cheng)型(xing)(xing)(xing)，按燒成(cheng)和不(bu)少成(cheng)分為(wei)致密型(xing)(xing)(xing)（燒成(cheng)溫度大(da)于1450℃）和普通型(xing)(xing)(xing)鋁(lv)碳(tan)(tan)磚(zhuan)（經(jing)200~250℃低溫固(gu)化焙(bei)燒）。高(gao)(gao)(gao)爐鋁(lv)碳(tan)(tan)磚(zhuan)具有氣孔率低，透氣度低、耐壓強度高(gao)(gao)(gao)、熱(re)導率高(gao)(gao)(gao)、抗(kang)(kang)渣、抗(kang)(kang)堿(jian)、抗(kang)(kang)鐵(tie)水熔蝕及抗(kang)(kang)熱(re)震性好(hao)等各種優良性能(neng)。
碳磚是以碳質材料為原料，加入適量結合劑制成的耐高溫中性耐火材料制品。碳質原料包括無煙煤、焦炭和石墨，以瀝青、焦油和蒽油為結合劑。無煙煤的揮發分少，結構致密，生產碳磚時多以它為骨料，加入冶金焦炭，以瀝青做結合劑。由于碳易氧化，因此無論是原料的煅燒或是制品的焙燒以及制品的使用，均要在還原氣氛中進行。
根據高爐成渣帶（爐腰、爐腹、爐身下部）磚襯的破損機理和各種材料的性能特點，選用半石墨化的高溫電煅燒無煙煤和碳化硅等主要原料，加入適量的添加劑和結合劑，高壓成型，高溫燒成，經研磨加工成半石墨化碳—碳化硅磚。它具有優良的導熱性、抗堿性、抗氧化性以及抗鐵水滲透性能，其平均氣孔直徑在1μm以下。
